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Power Integrations全新门极驱动器提高可靠性和绝缘

  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件扩展了公司的汽车级驱动器IC的范围。

  新款驱动器IC具有紧凑、高效和高度可靠的特点,它采用Power Integrations的高速FluxLink™通信技术,即使在故障情况下也可确保系统安全。FluxLink技术极大地提高了符合AEC-Q100标准的新款门极驱动器的可靠性和绝缘能力,可取代光耦器以及电容性或基于硅的电感耦合解决方案。SCALE-iDriver器件还具有重要的保护功能,例如退饱和监控、原方和副方欠压保护(UVLO)以及高级软关断(ASSD),这些功能可在短路关断期间提供开关保护。

  Power Integrations汽车门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示:“采用FluxLink技术的SCALE-iDriver产品系列可为电动汽车应用中的各种IGBT驱动器提供安全可靠、高性价比的设计,包括动力总成,车载充电机和充电站以及其他高可靠性驱动器和逆变器。”

  SCALE-iDriver IC可最大限度地减少所需的外围元件数,无需再使用钽电容器和电解电容,并且简化隔离电源,仅需一个变压器副方绕组。可以使用简单的双层PCB来进一步简化设计和简化供应链管理。

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  Power IntegraTIons公司发布InnoSwitch3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。新器件在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,并且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源。InnoSwitch3器件适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源,特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源。InnoSwitch3 IC产品系列针对三种特定应用提供三种版本: CE:外部电流。采用外部输出电流检测,可提供精确的恒流/恒压调整率,从而提高设计灵活性。适合仅有单一输出电压的紧凑型充电器、适配器、物联网和楼宇自动化应用。 CP:恒定功率。适合USB功率传输(PD

  Power Integrations可提供已涂覆三防漆的SCALE门极驱动器

  增强在严苛环境下的耐用性;提高了生产物流的效率。美国加利福尼亚州圣何塞,2018年4月30 日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布可为其SCALE™ IGBT和MOSFET驱动器出厂提供涂覆三防漆服务。三防漆可防止电子元器件遭受污染物、灰尘和冷凝液等的腐蚀,从而提高系统可靠性。Power Integrations的门极驱动器出厂涂覆三防漆,生产厂商无需将板子发送至分包商进行清洗喷漆,可缩减库存成本、缩短交付周期和降低总体拥有成本。Power Integrations所使用的是高级丙烯酸清漆,该漆广泛应用于工业和汽车行业。这种高度

  ,同时还要精心布板。对比GaN和硅开关更高能效是增强型GaN较硅(Si)开关的主要潜在优势。不同于耗尽型GaN,增强型GaN通常是关断的器件,因此它需要一个正门极驱动电压来导通。增强型GaN的更高能效源于较低的器件电容和GaN的反向(第三象限)导电能力,但反向恢复电荷为零,这是用于硬开关应用的一个主要优点。低栅极源和栅极漏电容,产生低总栅电荷,支持门极驱动器快速门极开关和低损耗。此外,变压器的负载系数低输出电容提供较低的关断损耗。可能影响实际GaN性能的其他差别是没有漏源/栅雪崩电压额定值和相对较低的绝对最大门极电压,SiMOSFET约+/-20V,而GaN通常只有+/-10V。另外,GaN的导通阈值(VGTH)约1.5V,远低于

  阈值也低于Si的约3.5V。关键的是,能否实现低损耗、高功率密度和高可靠性的预期优势,取决于具有强固保护特性的优化门极驱动电路。GaN门极驱动对性能至关重要为了充分增强,E-mode GaN开关需要驱动到约5V,但不很高;除了保持在绝对最大限值内,门极电路中的功耗随门极驱动电压和频率的变化而变化。在器件电容和门极电荷较低的情况下,平均驱动功率可以很低。但由于开关是纳秒级的,峰值电流可以很高,为安培级,因此驱动电路需要匹配这速度,但仍然能够提供大量的电流。理论上,GaN器件在VGS= 0安全关断,但是如果没有从驱动器返回到开关源的闭合“开尔文”连接,则所得到的连接电感在器件开关时引起电压尖峰(图1)。这与门极驱动器相对,最佳地降低

  Power Integration推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统

  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统,新产品适合耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。该系统由一个中央绝缘主控制(IMC)和一到四个模块适配型门极驱动器(MAG)组成。IMC提供4.5 kV耐压。这些MAG可支持1700 V、3300 V和4500 V电压等级的不同功率模块、厂家和半导体开关技术。SCALE-iFlex门极驱动器系统轻松支持业界最新功率模块的并联,以最小的开发成本提供可靠且高度灵活的系统扩展性。MAG的位置临近

  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。SIC1182K可在125°C结温下提供8 A驱动,因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC-MOSFET逆变器设计。这样将提高系统效率,客户只需完成一个设计即可覆盖整个产品阵容中不

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